台积电3纳米产能大增，黄仁勋亲赴台湾助力突破50%新高峰

30 1 2025-11-09

英伟达推动台积电提升3纳米工艺产能，应对Rubin AI芯片需求激增

科技媒体Wccftech最新报道，英伟达为应对下一代“Rubin”AI芯片的爆炸性需求，正积极推动其主要代工伙伴台积电大幅提升3纳米工艺产能。

IT之家报道，英伟达CEO黄仁勋近日飞抵中国台湾地区，并直奔台积电3纳米工厂进行访问。黄仁勋此次访台的核心目的之一，便是确保其下一代AI产品获得“海量”的3纳米产能。

据联合新闻网报道，为满足英伟达的巨大需求，台积电计划对其位于南台湾科学园区的晶圆厂进行大规模扩产。该厂的3纳米工艺月产能预计将从目前的10万片晶圆提升至16万片，增幅约为50%。

报道指出，英伟达即将推出的Rubin AI产品线被视为一次“关键”发布，预计将在计算性能上实现重大飞跃。该系列芯片不仅将采用台积电更先进的N3P工艺制造，还将集成尖端的HBM4高带宽内存技术，从而将AI算力推向全新标准。

对于台积电而言，以英伟达为首的高性能计算（HPC）客户是其营收的主要来源。此次为英伟达大幅扩产，意味着3纳米工艺将在未来数个季度内持续成为驱动台积电营收增长的核心动力。